哈尔滨工业大学邓宗全院士团队
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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：安全性
收藏年代2000～2019



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2010, vol.110, no.110 2010, vol.110, no.145 2010, vol.110, no.242 2010, vol.110, no.303 2010, vol.110, no.346 2010, vol.110, no.387
2010, vol.110, no.45 2010, vol.110, no.472

题名作者出版年年卷期
Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFETTakuya Imamoto; Takeshi Sasaki; Tetsuo Endoh20102010, vol.110, no.110
Impact of Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFETYuto Norifusa; Tetsuo Endoh20102010, vol.110, no.110



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